雪崩效应

2024-05-15

1. 雪崩效应

 雪崩效应
   军事心理和军事谋略活动中的一种重要现象。在军事斗争中,一支失利形势下的军队,一旦出现败逃现象,立刻会全军崩溃,不可收拾。这种现象称为雪崩效应。它是在军事斗争处于落势环境下,因个体对集团的否定定势,通过模仿和反遵从的连锁反应,所表现出的集团行为。
  这种效应在军事斗争中非常重要。只要发现对方出现不信任感的否定定势,即可派人打进去做策反瓦解工作。一旦时机成熟,几个带头人的言行就会引起整个集团的变化,使对方出现兵败如山倒之势,这时即可乘势进攻,战而胜之,甚至不战而收胜效。中国古代秦晋淝水之战中,前秦以绝对优势兵力进攻东晋。东晋见前秦军队成份复杂,指挥系统不健全,内部不团结。在秦军移阵少许,使晋一军度水以决胜负之时,晋军策反者在秦军后撤时高喊“秦军败了,秦军败了”。这一喊,部署在后边的秦军以为败退,转身就逃,于是晋军乘势猛攻,大败秦军。 
   

雪崩效应

2. 雪崩效应的介绍

雪崩效应好比就是水滴石穿、蝴蝶效应,说的都是一个小因素的变化,却往往有着无比强大的力量,以至于最后改变整体结构、产生意想不到的结果。

3. 什么是雪崩增益效应

半导体雪崩光电二极管 
  具有内部光电流增益的半导体光电子器件,又称固态光电倍增管。它应用光生载流子在二极管耗尽层内的碰撞电离效应而获得光电流的雪崩倍增。这种器件具有小型、灵敏、快速等优点,适用于以微弱光信号的探测和接收,在光纤通信、激光测距和其他光电转换数据处理等系统中应用较广。 
  当一个半导体二极管加上足够高的反向偏压时,在耗尽层内运动的载流子就可能因碰撞电离效应而获得雪崩倍增。人们最初在研究半导体二极管的反向击穿机构时发现了这种现象。当载流子的雪崩增益非常高时,二极管进入雪崩击穿状态;在此以前,只要耗尽层中的电场足以引起碰撞电离,则通过耗尽层的载流子就会具有某个平均的雪崩倍增值。 
  碰撞电离效应也可以引起光生载流子的雪崩倍增,从而使半导体光电二极管具有内部的光电流增益。1953年,K.G.麦克凯和K.B.麦卡菲报道锗和硅的PN结在接近击穿时的光电流倍增现象。1955年,S.L.密勒指出在突变PN结中,载流子的倍增因子M随反向偏压V的变化可以近似用下列经验公式表示
 M=1/[1-(V/VB)n] 
式中VB是体击穿电压,n是一个与材料性质及注入载流子的类型有关的指数。当外加偏压非常接近于体击穿电压时,二极管获得很高的光电流增益。PN结在任何小的局部区域的提前击穿都会使二极管的使用受到限制,因而只有当一个实际的器件在整个PN结面上是高度均匀时,才能获得高的有用的平均光电流增益。因此,从工作状态来说,雪崩光电二极管实际上是工作于接近(但没有达到)雪崩击穿状态的、高度均匀的半导体光电二极管。1965年,K.M.约翰逊及L.K.安德森等分别报道了在微波频率下仍然具有相当高光电流增益的、均匀击穿的半导体雪崩光电二极管。从此,雪崩光电二极管作为一种新型、高速、灵敏的固态光电探测器件渐渐受到重视。 
  性能良好的雪崩光电二极管的光电流平均增益嚔可以达到几十、几百倍甚至更大。半导体中两种载流子的碰撞离化能力可能不同,因而使具有较高离化能力的载流子注入到耗尽区有利于在相同的电场条件下获得较高的雪崩倍增。但是,光电流的这种雪崩倍增并不是绝对理想的。一方面,由于嚔随注入光强的增加而下降,使雪崩光电二极管的线性范围受到一定的限制,另一方面更重要的是,由于载流子的碰撞电离是一种随机的过程,亦即每一个别的载流子在耗尽层内所获得的雪崩增益可以有很广泛的几率分布,因而倍增后的光电流I比倍增前的光电流I0有更大的随机起伏,即光电流中的噪声有附加的增加。与真空光电倍增管相比,由于半导体中两种载流子都具有离化能力,使得这种起伏更为严重。一般将光电流中的均方噪声电流〈i戬〉表示为 
 〈i戬〉=2qI0嚔2F(嚔)B 
 式中q为电子电荷,B为器件工作带宽,F(嚔)表示雪崩倍增过程所引起噪声的增加,称为过剩噪声因子。一般情况下,F随嚔的变化情况相当复杂。有时为简单起见,近似地将F表示为F=嚔x,x称为过剩噪声指数。F或x是雪崩光电二极管的重要参数。 
  由于F大于1,并随嚔的增加而增加,因而只有当一个接收系统(包括探测器件即雪崩光电二极管、负载电阻和前置放大器)的噪声主要由负载电阻及放大器的热噪声所决定时,提高雪崩增益嚔可以有效地提高系统的信噪比,从而使系统的探测性能获得改善;相反,当系统的噪声主要由光电流的噪声决定时,增加嚔就不再能使系统的性能改善。这里起主要作用的是过剩噪声因子F的大小。为获得较小的F值,应采用两种载流子离化能力相差大的材料,使具有较高离化能力的载流子注入到耗尽层,并合理设计器件结构。 
  载流子在耗尽层中获得的雪崩增益越大,雪崩倍增过程所需的时间越长。因而,雪崩倍增过程要受到“增益-带宽积”的限制。在高雪崩增益情况下,这种限制可能成为影响雪崩光电二极管响应速度的主要因素之一。但在适中的增益下,与其他影响光电二极管响应速度的因素相比,这种限制往往不起主要作用,因而雪崩光电二极管仍然能获得很高的响应速度。现代雪崩光电二极管增益-带宽积已达几百吉赫。 
  与一般的半导体光电二极管一样,雪崩光电二极管的光谱灵敏范围主要取决于半导体材料的禁带宽度。制备雪崩光电二极管的材料有硅、锗、砷化镓和磷化铟等Ⅲ-Ⅴ族化合物及其三元、四元固熔体。根据形成耗尽层方法的不同,雪崩光电二极管有PN结型(同质的或异质结构的PN结。其中又有一般的PN结、PIN结及诸如 N+PπP+结等特殊的结构)、金属半导体肖特基势垒型和金属-氧化物-半导体结构等。 
   与真空光电倍增管相比,雪崩光电二极管具有小型、不需要高压电源等优点,因而更适于实际应用;与一般的半导体光电二极管相比,雪崩光电二极管具有灵敏度高、速度快等优点,特别当系统带宽比较大时,能使系统的探测性能获得大的改善。

什么是雪崩增益效应

4. 什么是雪崩增益效应

半导体雪崩光电二极管 (semiconductor avalanche photodiode )是具有内部光电流增益的半导体光电子器件,又称固态光电倍增管。它应用光生载流子在二极管耗尽层内的碰撞电离效应而获得光电流的雪崩倍增。这种器件具有小型、灵敏、快速等优点,适用于以微弱光信号的探测和接收,在光纤通信、激光测距和其他光电转换数据处理等系统中应用较广。
工作原理
当一个半导体二极管加上足够高的反向偏压时,在耗尽层内运动的载流子就可能因碰撞电离效应而获得雪崩倍增。人们最初在研究半导体二极管的反向击穿机构时发现了这种现象。当载流子的雪崩增益非常高时,二极管进入雪崩击穿状态;在此以前,只要耗尽层中的电场足以引起碰撞电离,则通过耗尽层的载流子就会具有某个平均的雪崩倍增值。
碰撞电离效应也可以引起光生载流子的雪崩倍增,从而使半导体光电二极管具有内部的光电流增益。1953年,K.G.麦克凯和K.B.麦卡菲报道锗和硅的PN结在接近击穿时的光电流倍增现象。1955年,S.L.密勒指出在突变PN结中,载流子的倍增因子M随反向偏压V的变化可以近似用下列经验公式表示
M=1/[1-(V/VB)n]
式中VB是体击穿电压,n是一个与材料性质及注入载流子的类型有关的指数。当外加偏压非常接近于体击穿电压时,二极管获得很高的光电流增益。PN结在任何小的局部区域的提前击穿都会使二极管的使用受到限制,因而只有当一个实际的器件在整个PN结面上是高度均匀时,才能获得高的有用的平均光电流增益。因此,从工作状态来说,雪崩光电二极管实际上是工作于接近(但没有达到)雪崩击穿状态的、高度均匀的半导体光电二极管。打得手都抽筋了!希望采纳!

5. 什么是雪崩?


什么是雪崩?

6. 什么是雪崩

  雪崩是一种自然现象,它是指大量积雪从高处突然崩塌下落。雪崩在有人居住或滑雪场等地是一种严重的灾害,常会造成房倒屋塌和人员伤亡。
  雪崩都发生在山地,常见的雪崩发生在雪已经聚积了很多的时候,也有的是在特大暴雪中产生。雪崩的原因之一是在雪堆下面缓慢地形成了深部“白霜”,这是一种冰的六角形杯状晶体,与我们通常所见的冰碴相似。这种白霜的形成是因为雪粒的蒸发所造成,它们比上部的积雪要松散得多,在地面或下部积雪与上层积雪之间形成一个软弱带,当上部积雪开始顺山坡向下滑动,这个软弱带起着润滑的作用。
  雪崩发生的诱因很多,通常积雪堆积过厚,超过了山坡面的摩擦阻力时,基底为春雨所松动,温暖干燥的风,声音的震响等都能使积雪开始动运,崩塌就开始了。
  雪崩一旦发生,其势不可阻挡。成千上万吨的积雪夹杂着岩石碎块,以极高的速度从高处呼啸而下,所过之处将一切扫荡净尽。有些雪崩中还夹带大量空气,这样的雪崩流动性更大,有时甚至可以冲过峡谷,到达对面的山坡上。
  雪崩对登山运动员、滑雪爱好者、旅行游客及当地居民是一种极大的危险,因为它的发生都是非常突然而且避险时间极短。人们总结了很多经验教训后,对雪崩已经有了一些防范的手段。比如对一些危险区域发射炮弹,提前引发积雪还不算多的雪崩,设专人监视并预报雪崩等。但作为一种自然现象,雪崩不时还会对人们造成伤害,因此,人们如果到会有雪崩发生的地方去旅游时,一定要遵守当地组织者的要求,不能独自乱跑。

7. 什么是雪崩,危害

当山坡积雪内部的内聚力抗拒不了它所受到的重力拉引时,便向下滑动,引起大量雪体崩塌,人们把这种自然现象称做雪崩。

雪崩能引起山体滑坡、山崩和泥石流等自然灾害。
雪崩对登山者、当地居民和旅游者是一种很严重的威胁。
雪崩摧毁森林和度假胜地,也会给当地的旅游经济造成非常大的经济影响。

什么是雪崩,危害

8. 雪崩与什么有关

雪崩是一种自然现象,它是指大量积雪从高处突然崩塌下落。雪崩在有人居住或滑雪场等地是一种严重的灾害,常会造成房倒屋塌和人员伤亡。
雪崩都发生在山地,常见的雪崩发生在雪已经聚积了很多的时候,也有的是在特大暴雪中产生。雪崩的原因之一是在雪堆下面缓慢地形成了深部“白霜”,这是一种冰的六角形杯状晶体,与我们通常所见的冰碴相似。这种白霜的形成是因为雪粒的蒸发所造成,它们比上部的积雪要松散得多,在地面或下部积雪与上层积雪之间形成一个软弱带,当上部积雪开始顺山坡向下滑动,这个软弱带起着润滑的作用。
雪崩发生的诱因很多,通常积雪堆积过厚,超过了山坡面的摩擦阻力时,基底为春雨所松动,温暖干燥的风,声音的震响等都能使积雪开始动运,崩塌就开始了。