国产3nm芯片刻蚀机取得突破 美企多次窃取中微专利

1. 国产3nm芯片刻蚀机取得突破 美企多次窃取中微专利

紫金 财经 5月8日消息 近日，国产芯片行业传来好消息。据媒体报道，中微公司成功研制出3nm蚀刻机，且完成了原型机的设计、制造、测试及初步的工艺开发和评估，并已进入量产阶段。
  
 之前，中微的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户先进集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。此次3nm刻蚀机诞生，使得中国芯片企业以后能够参与到更先进的高端芯片制造产业链中。
  
 众所周知，半导体工艺流程主要包括晶圆制造、设计、制造和封测几个环节。每个环节不但需要高尖端技术，还需要大量的软件和硬件设备。单晶硅片制造需要单晶炉等设备，IC制造需要光刻机、刻蚀机、薄膜设备、扩散离子注入设备、湿法设备、过程检测等六大类设备。其中，光刻机、刻蚀机、薄膜设备最为主要。
  
 光刻机的工作原理与冲洗照片差不多，就是通过显影技术将线路图复制到硅片上。而刻蚀机的工作原理是按光刻机刻出的电路结构，在硅片上进行微观雕刻，刻出沟槽或接触孔。刻蚀机利用显影后的光刻胶图形作为掩模，在衬底上腐蚀掉一定深度的薄膜物质，随后得到与光刻胶图形相同的集成电路图形。
  
 ASML公司EUV光刻机工程师曾表示，光刻机是人类智慧的结晶，把光当成画笔，将集成电路线路图复制到硅片上。而刻蚀机则像是工匠手中的一把雕刻刀，要在头发丝几千万分之一面积的大小上做几十层楼的“龙骨”建设，直接决定了芯片的工艺制程。
  
 在高端芯片数百亿根晶体管，集成电路的勾勒雕刻过程中，至少需要上千个工艺步骤。但如此高端、复杂的刻蚀机最终被中微半导体突破，一直自认为技术领先的美国企业大为不满。
  
 近年来，美国半导体设备公司美国应用材料、泛林研发、维科为了遏制中微的发展，轮番向中微发起了商业机密和专利侵权的诉讼，意欲遏制中微的发展。所幸的是，中微早做了充分的准备，他们在国内外申请了1200多件相关专利，其中绝大部分是发明专利，有力地保护了其自主创新形成的知识产权。
  
 中微掌门人尹志尧曾表示，中微是国内被美国起诉最多的半导体公司，其中主要有四场大官司。这四场官司包括了专利诉讼，商业机密等多个方面，但是无一例外，中微都取得了胜利或者达成了和解。
  
 据悉，美国维科在蚀刻机市场被中微打得节节败退，为了遏制中微迅猛的发展势头，维科在纽约联邦法院对中微的石墨盘供应商SGL发起了专利侵权诉讼，并索要巨额赔偿。但事实是SGL并没有侵犯维科的专利，反而是后者盗用了中微的晶圆承载器同步锁定相关专利。
  
 为了保护自己的合法权益，中微直接发起反击，向上海海关递交了扣押维科侵权的商品，这批货物价值3000多万，直接给予维科重创，使得其不得不做出妥协，主动寻求中微的谅解，双方最终达成专利交叉授权协议。
  
 如今，中微在蚀刻机领域已经全球领先，但在整个芯片领域，我们还没有实现芯片工艺的全国产覆盖。受制于国外的设备，我国在高端芯片上和欧美还相差一段距离，逻辑器件技术水平上差三代左右，也就是5到10年的差距。
  
 从现阶段看，国内厂商与全球龙头技术差距正在逐渐缩短，国产替代迎来机遇期，中微公司掌握3nm刻蚀技术的消息也给半导体行业的发展带来了信心。尹志尧曾表示，中国人注重数理化，工程技术，又有耐心，最适合搞集成电路。“只要我们有一定的耐心，将来一定会成为世界芯片领域先进的国家”。

2. 央视: 中国中微正式宣布掌握5nm刻蚀机技术!

好消息：中企5nm刻蚀机已获批量订单，全球仅3家企业掌握该技术

3. 60岁创办中微半导体！自研出首台5nm刻蚀机，确立了技术地位领先

 近两年，我国半导体行业的发展速度很快，但和美国等 科技 巨头相比较，技术仍是落后别人，但是国内产生所自研的技术、设备都能达到世界领先水平。最成功的案例莫过于蚀刻机设备，国内芯片企业所自研的蚀刻机已打破海外的技术垄断。
      很多人都不清楚，蚀刻机的重要性并不低于光刻机，两者皆是生产高端芯片的重点设备。
   但是，我国的光刻机设备一直处于十分落后的状态，很难让国内半导体厂商生产出高端芯片工艺。而蚀刻机在我国却是特别先进，用于下一代新高端工艺芯片生产，也是绰绰有余。
      据了解，中微半导体的所自研的高精度蚀刻机已达到5nm，是国内半导体高端设备的顶尖存在，更是国际半导体行不可忽视的力量。在全球半导体设备企业满意度调查中，中微半导体公司排进世界第三，这也说明很多客户对于中微半导体产品是非常认可的。
      要知道，中微半导体之所可以取得今日的巨大成就，完全离不开中微半导体创始人尹志尧，尹志尧拥有200多项各国专利和86项美国专利，而在美国硅谷也是具有一定影响力的华人之一。60岁时的尹志尧身披荣誉，决定携带团队回国创业。
      尹志尧携团队回国，创办了中微半导体公司，并且展开对蚀刻机设备的研发，仅仅几年时间，中微半导体企业便自研出第一代介质刻蚀机，该蚀刻机采用单独操作双反台，该设备相比其它蚀刻机效率提升了30％，中微半导体也在市场上获得了好名声。
   随着中微半导体的创新技术不断产出，在一段时间当中，中微半导体毅然遭到了美国技术的封锁，直到2015年期间，美国才放弃对中微半导体公司的技术封锁。
       中微半导体成立的第11年，中微半导体再次自研出首台最先进的5nm刻蚀机，自此，中国的5nm蚀刻机在全球确立了5nm刻蚀机技术的地位领先。 
   现如今的中微半导体5nm蚀刻机设备已和台积电等芯片代工企业采购，目前，对于国内的芯片产业链来看，中微半导体已经可以长久的供应技术维持。
    对于中微半导体公司的未来发展你怎么认为？ 

4. 国产3nm芯片刻蚀机进入量产，美企曾多次阻挠

芯片制造分为设计、制造和封装这三个环节，需要原材料，软件和硬件等多方面的支持，我们国家在光刻机领域没有掌握核心技术，但是中微已经成功研制出3nm刻蚀机，并且已经进入量产阶段，这是我们国家一个重大突破！ 
     
  光刻机就是通过显影技术将线路图复制到硅片上，而刻蚀机是在硅片上进行微观雕刻，刻出沟槽或接触孔。光刻机就像把光当作画笔进行作画，刻蚀机则是雕刻刀，这两种设备都直接决定了芯片的工艺。 
  
  中微半导体突破的3nm刻蚀机属于世界先进水平，这让一些美国企业大为不满，多次向中微发起商业机密和专利侵权的诉讼，但是中微早就做足准备，最后结果都取得胜利或者达成和解，但在深入调查中，反而发现美企使用中微的专利技术造成侵权。 
     
  3nm刻蚀机此次为何意义重大，就是因为已经落实到量产，直接跻身于世界一线，提高了我们国家在芯片领域的话语权。在几乎相同的时间，美国IBM发布了2nm芯片制造技术，但是实现量产还需要几年时间，台积电也在研发3nm技术，最终谁的技术更快实现还是未知数。 
  
  当然，我们也应该正视国家技术不足的方面，我们的芯片制程和国际先进水平差距明显，但我们并不是全无基础，国内厂商迎来机会，现在正是国产替代的新机遇，半导体行业突破指日可待。